Διδακτορικός Φοιτητής
ΓΕΩΡΓΙΟΣ ΦΑΝΟΥΡΑΚΗΣ
geofn@materials.uoc.gr
Τηλέφωνο
Γραφείο
Προσωπική ιστοσελίδα
Θέμα διδακτορικού
Μελέτη Απόδοσης σε Συνάρτηση με τις Διαστάσεις Κρυσταλλοτριόδων Επίδρασης Πεδίου (MOSFET) με βάση Δι-διαστατατα Υλικά
Επιβλέπων
ΔΕΛΗΓΕΩΡΓΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ, ΕΡΕΥΝΗΤΗΣ Β, Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ, Ίδρυμα Τεχνολογία
Μέλη Επιτροπής
ΚΙΟΣΕΟΓΛΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΣ, Αναπληρωτής Καθηγητής, Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών - ΠΚ
ΠΕΛΕΚΑΝΟΣ ΝΙΚΟΛΑΟΣ, Καθηγητής, ΤΕΤΥ, Παν/μιο Κρήτης
Abstract
Two-dimensional materials have inherent characteristics that make them good candidates for field effect transistors with reduced size. At the same time,however, our knowledge of the laws of scaling when it comes to two-dimensional material is incomplete due to the immature technology. The fabrication and characterisation of transistors based on two-dimensional semiconductors will be studied in this dissertation as well as how the transistor behaviour changes with the dimensions of the transistor. The ultimate goal is to have a better understanding of how two-dimensional materials behave in transistors and to develop a model based on the dimension of the transistors and the electrical behaviour.
Περίληψη
Τα δι-διαστατα υλικά έχουν εγγενή χαρακτηριστικά που τα κάνουν καλούς υποψήφιους για την δημιουργία ισχυρά σμικρυσμένων κρυσταλλοτριοδων (τρανζίστορ) επίδρασης πεδίου. Την ίδια στιγμή όμως oι γνώσεις μας για τους νόμους σμικρυνσης σε αυτή την κατηγορία διατάξεων είναι ελλιπής λόγω της ανώριμης τεχνολογίας. Στα πλαίσια της προτεινόμενης διατριβής, θα μελετηθεί η κατασκευή και η συμπεριφορά τρανζίστορ που κατασκευάζονται με βάση υλικά ημιαγωγών δύο διαστάσεων και πώς η συμπεριφορά αυτή αλλάζει τις διαστάσεις των τρανζίστορ. Απώτερος στόχος είναι η ωρίμανση της τεχνολογίας και η δημιουργία για πρώτη φορά ενός μοντέλου συμπεριφοράς με βάση φυσικές διεργασίες.